天府新区集成电路设计创新公共平台（天府ICC）

服务介绍

部分仪器设备

反应离子束刻蚀 - RIE

反应离子刻蚀通过采用O2, Ar, CF4, CHF3等等离子气体可以去除Oxide，Nitride， Polyimide等材质，进行芯片去层。

研磨抛光 - Polish

采用不同的研磨液和砂纸，抛光布对样品进行截面、平面的研磨和抛光。可以定点和非定点研磨

开封- De-capsulation

可以decap 金线，铜线，镀钯铜线，银线，各种封装，包括超小封装。

3D OM (3D Optical Microscope)原理是藉由一般可见光对物体表面之反射特性，透过光学的透镜放大、缩小及CCD来撷取影像，可进行表面形貌的观察与尺寸的分析量测具有高景深、大景深、倾斜角度检测优势和先进的量测功能，可针对各种不同高度的待测物体，进行多角度的全面对焦，并获得清晰的影像进行观察。适合进行元器件焊接检验与失效分析

应用范围：

元器件芯片封装检验的缺陷，如：外观表面完整性、黑胶的裂痕、引脚变形或变色
印刷电路板制程中可能产生的缺陷，如﹕结瘤、织纹显露、玻纤曝露、防焊漆、字样
各式电子产品中可能产生的缺陷，如：焊接吃锡不良
锡球数组封装及覆芯片封装中锡球的完整性检验，如﹕锡球变形
各式主、被动组件外观检测分析
各种材料分析观察，量测，拍摄，自动拼图

Applications
Printed circuit boards
Electronic and mechanical
modules
Electromechanical
components and plugs
Semiconductor packaging and interconnects
Microsystes
Sensors
Actuators
MEMS and MOEMS

FS300iIII

主要技术指标：

扫描模式： A-Scan (点扫描)、B-Scan (截面扫描)、C-Scan、Multi-Scan (多层扫描)、T-Scan (穿透式扫描)、Tray-Scan (盘扫描)、SALI-Scan(断层显微成象扫描)
最大分辨率： 10000X10000像素
最大扫描区域： 380mmX350mmX50mm(xyz)
检测最小间隙厚度： 0.13um 超声波
探头频率： 10-220MHz

主要特点：

低电压高分辨成像，更好的观察样品表面细节，并且可以防止高分子等样品受热损伤；同时，可以得到样品不同深度的表面形貌、成分和电位衬度等信息。全新的冷场电子枪，使得冷场电镜的束流大小和稳定性有了明显提升，满足了大束流分析的需求，是一台集高分辨和分析功能于一体的扫描电镜。

二次电子像分辨率：0.6nm@15kV，0.7nm@1kV，20nA。 EDX分辨率： 125 eV (Mn-Ka)

应用范围：

SEM扫描电子显微镜结构分析，尤其是低电压高分辨成像。
EDX能谱分析。
EBSD背散射电子衍射分析。

Focused Ion Beam/EDX (Dual-Beam FIB G5 CX)

支持7nm wafer工艺技术节点以下器件的逆向剥层处理并提供自动终点检测，

应用项目：

材料分析：表征观测等

芯片分析：工艺制程，芯片缺陷等

纳米加工：原子探针，TEM样品制备等

电子束分辨率：

• At optimum WD:
– 0.6 nm at 30 kV STEM
– 0.6 nm at 15 kV
– 1.0 nm at 1 kV